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摘要
氧化镓(Ga2O3)作为一种新型的超宽禁带半导体材料，与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比，具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga2O3的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度，研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布，并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明，在选取HfO2作为α-Ga2O3垂直型SBD场板结构的绝缘材料时，场板结构可以增大该器件的反向击穿电压，最大反向击穿电压可达约1 100 V,对于现实中制备α-Ga2O3 SBD具有非常重要的参考意义。
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单位天津工业大学; 电子工程学院
