异质衬底上HVPE法生长GaN厚膜的研究进展

作者：贾婷婷; 林辉; 滕浩; 侯肖瑞; 王军; 周圣明

来源：人工晶体学报, 2009, (02): 501-505.

• 氮化镓
• HVPE
• 蓝宝石
• 碳化硅
• 铝酸锂 GaN
• HVPE
• sapphire
• silicon carbide
• lithium aluminate

氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段。氢化物气相外延(HVPE)是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法。衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视,本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的研究进展,讨论了今后的研究方向。

• 单位
  中国科学院上海光学精密机械研究所