摘要

文中对制作MEMS磁传感器过程中涉及的主要设计参数、器件的制备工艺进行了介绍,综述了基于洛伦兹力的各种结构MEMS磁传感器的灵敏度、品质因子、噪声和探测极限等特性,并对其未来发展进行了展望。

  • 单位
    吉林大学; 集成光电子学国家重点实验室; 中国电子科技集团公司第四十九研究所; 长春理工大学光电信息学院