本发明公开了一种在硅片上复合In2O3多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体具有4～6个角,相邻角顶点之间的距离为17～19μm,每个角的长度为8～10μm；制备方法是以In颗粒作为原料,利用热蒸发方法生长得到In2O3多角分层塔状纳米结构。本发明具有成本低,生长温度低,重复性高等优点,可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺,适合于集成纳米光电子器件的发展。
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