双面散热SiC MOSFET模块的封装结构强度设计

作者：陆国权; 刘文; 梅云辉^*

来源：电工电能新技术, 2018, 37(10): 32-38.

• 双面散热
• 有限元
• 纳米银
• 缓冲层
• 强度设计
• 碳化硅

随着功率模块向高功率、高密度的方向快速发展,模块需要更高的散热效率。而传统引线键合模块只能实现单面散热,因此,双面散热的封装结构正被广泛关注。双面散热的封装模块采用缓冲层代替键合引线与芯片电极相连,增加散热通道,有效提高模块的散热效率,但双面互连的封装结构须承受更高的热应力。因此,为设计可靠的双面散热封装结构,本文以最大等效应力和最大塑性应变最小化为目标,采用有限元法,重点仿真研究了双面SiC模块应力缓冲层形状、厚度和焊层面积对模块各层材料的受力与变形的影响规律,为双面封装结构强度设计提供理论指导,实现高可靠双面散热封装SiC芯片。

• 单位
  天津大学