摘要
采用第一性原理的方法对四方相的MAPbI3进行了研究,计算了MAPbI3的电子性质、不同极化方向的光学性质以及I-沿<100>方向迁移的离子迁移能。计算结果表明:四方相的MAPbI3为直接带隙半导体;在可见光范围内MAPbI3整体具有优异的性能;其在可见光范围内具有高吸收系数、高折射率、低反射率以及较低的能量损失;通过Climbing image nudged elastic band(CI-NEB)方法和超晶胞方法计算的离子迁移能证明MAPbI3晶体中存在强烈的I-扩散。
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单位数理学院; 内蒙古民族大学