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摘要
本发明属于显示领域中薄膜晶体管技术领域,公开了一种全铝透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述全铝透明栅极薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、堆叠栅极、Al2O3栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成,所述堆叠栅极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构。本发明的AZO/Al/AZO/Al/AZO堆叠栅极薄膜在室温下制备,且具有高透明度,高导电性等优点,该堆叠栅极材料安全无毒,制备成本低,可大面积制备,可广泛应用于透明TFT以及其他透明电子器件中。
- 单位
