一种基于化学拓扑变换合成多孔二维过渡金属氧化物纳米片的通用策略（英文）

作者：李享; 秦梓喻; 胡夏芬; 张剑; 吴金金; 杨慧敏; 谢长生; 曾大文^*

来源：Science China-Materials, 2021, 64(10): 2477-2485.

二维(2D)过渡金属氧化物(TMO)由于其丰富的活性位点,快速的离子传输速率和较短的载流子迁移距离引起了广泛关注.但是,当前的合成策略通常局限于本质分层的化合物或基于牺牲模板的方法.本文中,我们报道了一种通过相应过渡金属硒化物的化学拓扑转移制备超薄二维多孔TMO纳米片的通用策略.值得注意的是,所制备的2D TMO纳米片不仅可以完美地继承过渡金属硒化物的2D拓扑结构,而且由于晶格生长中的应力释放产生了大量的孔洞结构.此外,我们基于原位氧化相应的超薄WSe2,Mo Se2和Co0.85Se纳米片,成功制备了多孔超薄WO3,MoO3和Co3O4纳米片.所制备的多孔二维WO3纳米片出色的气敏性能和光探测性能进一步表明了该制备策略具有广阔的应用前景.

• 单位
  华中科技大学