基于极性J-TMDs/β-Ga-2O-3异质结的高速光电子器件及其制备方法

作者：苏杰; 常晶晶; 朱小强; 袁海东; 林珍华; 郝跃

来源：2020-12-18, 中国, CN202011506539.6.

本发明公开了一种基于极性J-TMDs/β-Ga-2O-3异质结的高速光电子器件及其制备方法,主要解决现有β-Ga-2O-3基光电子器件响应速度慢的问题。其包括衬底(1)、β-Ga-2O-3光吸收层(2)和金属源漏电极(4,5),衬底采用SiO-2/Si衬底,且SiO-2作为栅介质材料,Si作为底部的栅电极；β-Ga-2O-3光吸收层的上部设有极性J-TMDs层,用于与该光吸收层构成异质结,以抑制激子复合,使得电荷在异质结界面处快速转移；金属源电极位于β-Ga-2O-3层上的一端,金属漏电极位于极性J-TMDs层上与金属源电极相对的一端。本发明提升了界面处的传输性能,提高了器件的响应速度,可用于制备高性能的光电探测器。

• 单位
  西安电子科技大学