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摘要
本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高了探测器在近红外波段响应特性。并且针对纵向结构垂直入射PIN光电探测器时量子效率与响应速度相矛盾的问题,提出了解决方案。测试结果表明,该器件的量子效率可达80%,峰值波长为940nm,光响应度达到0.55 A/W,暗电流降至700 pA,响应时间为200 ns。
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单位中国电子科技集团公司第二十四研究所; 中国电子科技集团第四十四研究所; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
