面向微处理器核的片上老化检测模块设计

作者：刘帅; 虞致国^*; 洪广伟; 顾晓峰

来源：传感器与微系统, 2021, 40(02): 89-94.

DOI：10.13873/J.1000-9787(2021)02-0089-03

• 微处理器
• 负偏压温度不稳定性
• 片上老化测量
• 细粒度

为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检测模块。检测模块包括老化延时探测模块及测量模块,能够准确测量NBTI效应造成的电路延时增量;相比于传统单一的延迟线结构,其面积开销降低40%。所设计的结构在ISCAS与OR1200核上实验,延时测量精度达到94%以上,可为微处理器的可靠性设计提供细粒度的防护。

• 单位
  江南大学