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摘要
本发明提出了一种阶梯高K介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS),该器件主要是在器件漂移区两侧形成阶梯高介电常数(High#K)介质层。High#k介质层阶梯下方为低介电常数的介质层。器件关断时High#K介质层通过电场调制辅助耗尽漂移区,大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加,导通电阻降低。分区优化的阶梯高K介质层能在漂移区引入新的电场峰,进一步优化了漂移区的电场分布。结合以上优势,在相同漂移区长度的情况下,本发明具有更高的耐压和更低的导通损耗。
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