干法刻蚀条件对Mo侧壁角度的影响

作者：田本朗; 徐阳; 曹家强; 杜波; 马晋毅; 米佳; 冷俊林

来源：压电与声光, 2016, 38(02): 199-206.

• 干法刻蚀
• 气体电感耦合等离子体(ICP)
• Mo
• 薄膜体声波谐振器(FBAR)
• 侧壁角度

该文介绍了F基气体电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀系统对金属Mo薄膜侧壁角度的影响。通过调节ICP干法刻蚀设备的射频功率、ICP离子源功率、腔体气压、SF6及Ar的气体流量等工艺参数,实现了30.3°51.6°的侧壁倾角,为薄膜体声波谐振器(FBAR)研制工艺提供了有益指导。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十六研究所