Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

作者：郑泽伟; 沈波; 陈敦军; 郑有炓; 郭少令; 褚君浩

来源：稀有金属, 2004, (03): 491-494.

DOI：10.13373/j.cnki.cjrm.2004.03.011

• 调制掺杂
• AlxGa1-xN/GaN
• 异质结构
• 二维电子气
• 迁移率
• 有效g因子 modulation-doped Al_xGa_(1-x)N/GaN heterostructures
• two-dimentional electron gas
• mobility
• effective g factor

通过低温强磁场下的磁输运实验 ,研究了AlxGa1 -xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气 ( 2DEG)的能带分裂性质。1.4K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于 5 .4T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象。用Dingle作图法得到本样品τq 的大小为 0 17ps。结果表明 ,本实验所用的调制掺杂Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g 。用高 2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g 增强效应。在磁阻测量中改变磁场方向 ,自旋分裂现象表现出各向异性。用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 红外物理国家重点实验室; 南京大学