一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器

作者：朱玲; 单奇星; 胡成成; 高海军^*

来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版), 2019, 39(03): 26-31.

DOI：10.13954/j.cnki.hdu.2019.03.005

• 压控振荡器
• 低相噪
• 负阻
• 滤波

基于65 nm CMOS工艺,设计了一种低相位噪声的压控振荡器。采用LC谐振回路,通过控制电压来改变电容的容值,达到振荡器输出频率可控的效果。仿真结果表明:在电源电压为1.2 V,控制电压在-3～3 V范围内变化时,振荡器的输出频率为139.4～149.3 GHz。振荡频率为140 GHz下,频偏1 MHz处的相位噪声为-91.83 dBc·Hz-1。

• 单位
  杭州电子科技大学