基于65 nm CMOS工艺,设计了一种低相位噪声的压控振荡器。采用LC谐振回路,通过控制电压来改变电容的容值,达到振荡器输出频率可控的效果。仿真结果表明:在电源电压为1.2 V,控制电压在-3~3 V范围内变化时,振荡器的输出频率为139.4~149.3 GHz。振荡频率为140 GHz下,频偏1 MHz处的相位噪声为-91.83 dBc·Hz-1。