石英衬底上Au缓冲层对ZnO薄膜微结构的影响

作者：李宁; 陈金菊; 邓宏

来源：发光学报, 2010, (02): 219-222.

• 化学气相沉积
• 缓冲层
• ZnO薄膜 CVD
• buffer layer
• ZnO films

采用单源化学气相沉积(SSCVD)法,在石英衬底上以Au为缓冲层,Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源制备ZnO薄膜。SEM和XRD测试ZnO薄膜的微结构,结果表明:相对于SiO2衬底上生长的ZnO薄膜,Au/SiO2衬底上生长的ZnO薄膜具有较好的结晶质量和表面平整度;对制备ZnO薄膜的衬底温度进行了工艺优化,结果表明:500℃时制备的ZnO薄膜颗粒大小均匀,结晶质量较好;通过荧光光谱仪对Au/SiO2衬底上的ZnO薄膜进行光致发光(PL)谱测试,ZnO薄膜在400nm出现紫光发射峰,而没有出现与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较好的结晶质量。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室