科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用MS为气源，在不同的温度下，对石墨表面进行SiC涂层，系统研究了沉积温度对CVD-SiC涂层的沉积速率、微观结构和抗烧蚀性能的影响规律。实验表明：MS为沉积气源在1000 ℃时其SiC沉积速率为50～120 μm/h，远高于以MTS为气源的沉积速率（5～10 μm/h）。当沉积温度较低（900-1000 ℃）时，MS所制备的SiC涂层整体光滑平整，呈现球形的紧密堆积形貌；沉积温度较高（1100-1200 ℃）时，SiC涂层呈现不规则的菜花状颗粒堆积形貌，且微晶尺寸明显增大；当沉积温度1000 ℃时，SiC涂层具有合适的致密性、粗糙度以及尺寸均匀的微观结构，同时该涂层经2300 ℃等离子烧蚀80 s后，其质量烧蚀率和线性烧蚀率分别为0.0096 mg/s和0.375 μm/s，显示出优异的抗烧蚀性能。本研究有望为MS体系的CVD-SiC涂层工艺提供一定的理论基础和技术支撑。
- 单位
