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摘要
本发明公开一种铜掺杂高效碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该电池从下而上依次由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层及阳极组成；背电极修饰层为ZnTe薄膜及Cu薄膜。窗口层CdSe纳米晶作为受体材料,CdTe纳米晶作为给体材料,两者构成了阶梯带隙合金结构。本发明创新通过引入ZnTe:Cu界面层,Cu通过ZnTe薄膜对光活性层CdTe纳米晶进行掺杂,与CdTe光活性层形成欧姆接触,有效地降低了背接触势垒,提高CdTe薄膜载流子浓度,提高了光谱响应范围及电池转换效率,显著地提高了器件的性能。本发明提供的纳米晶太阳电池器件,制备成本低、性能好,为纳米晶太阳电池的应用奠定基础。
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