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摘要
随着人工智能技术的不断发展，宽禁带半导体——氮化镓(GaN)引起研究者们越来越多的关注。但受限于大尺寸、低位错密度的GaN单晶衬底难以制备且稀缺，GaN材料的制备通常采用异质外延法，相较于碳化硅(SiC)、蓝宝石等异质衬底，硅(Si)衬底Ga N材料具有更高的性价比，在功率转换和通讯方面受到广泛的关注。但是Si衬底上制备GaN单晶薄膜是典型的大失配异质外延，由此导致的高位错密和应力问题严重制约Si衬底GaN材料的性能及发展。该文从缓冲层技术、图形化衬底技术和柔性衬底技术3个方面，对硅衬底氮化镓大失配应力调控方法进行研究，提出优点与不足，在总结前人在以上3个方面取得进展的基础上，对硅衬底氮化镓大失配应力调控方法的发展做展望。
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单位电子工程学院; 哈尔滨师范大学
