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摘要
本发明公开了一种垂直型的高压MOSFET的器件及制作方法,主要解决现有技术垂直型MOSFET的器件击穿电压小,漏电流大的问题,其自下而上包括漏电极、衬底和外延层,上层外延层表面开有深度小于300nm的浅槽,浅槽中设有源电极,上层外延层表面的浅槽之间开有深度大于500nm且贯穿两层外延层至衬底表面的深槽,深槽中设有绝缘栅介质和栅电极,该衬底采用n型Ga2O3材料,该外延层设为两层,其材料自下而上依次为空穴浓度为1017-1018cm-3的p型GaN和电子浓度为1018-1019cm-3的n型Ga2O3。本发明提高了击穿电压高、减小了反向漏电和静态功耗,且降低了制作成本和难度,可用于功率器件和高压开关器件。
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