Ce掺杂Bi₂S₃/Fe₂O₃异质结的制备及其光电性能

作者：周威; 谭海军; 黎燕; 王家钰; 钟福新

来源：半导体技术, 2021, 46(09): 719-724.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.09.010

• 异质结
• Ce掺杂Bi2S3
• Fe2O3
• 光电性能
• 水热法
• 薄膜

采用旋涂法与水热法在掺氟二氧化锡（FTO）上制备了Ce掺杂Bi2S3/Fe2O3（Ce-Bi2S3/Fe2O3）异质结,对样品的组成、形貌及其光电性能进行了研究分析。结果显示,Ce-Bi2S3/Fe2O3的X射线衍射（XRD）图谱中各衍射峰位与Bi2S3/Fe2O3相似,无新的相产生,但在2θ为24.92°（130）与28.65°（211）的衍射峰强度有所降低,而在2θ为35.65°（110）时有所增强;在Ce-Bi2S3/Fe2O3的X射线能谱（EDS）中发现了Ce元素。光电性能测试结果表明,在模拟太阳光的照射下Ce-Bi2S3/Fe2O3的光电压为0.347 V,比Bi2S3/Fe2O3（0.281 V）提高了23.5%;光电流密度达到2.31 mA·cm-2,比Bi2S3/Fe2O3(0.53 mA·cm-2)提高了约3.36倍;电化学阻抗谱（EIS）显示,在光照下Ce-Bi2S3/Fe2O3具有最低的界面阻抗,表明Ce-Bi2S3/Fe2O3中的载流子被更有效地分离和转移。

• 单位
  桂林理工大学; 生物工程学院