Al、N共掺Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备与性能研究

作者：高国华; 叶志镇; 简中祥; 卢洋藩; 胡少华; 赵炳辉

来源：真空科学与技术学报, 2007, (06): 471-474.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2007.06.021

• p型Zn1-xMgxO薄膜Al
• N共掺杂法直流反应磁控溅射

采用直流反应磁控溅射方法,由氨气和氧气的混合气体在玻璃和单晶硅衬底上制备Al、N共掺Zn1-xMgxO薄膜。采用XRD、FE-SEM、Hall实验、UV-VIS透射谱以及EDS等方法对共掺Zn1-xMgxO薄膜的结晶性能、电学和光学性能进行研究。结果表明:薄膜有明显的C轴择优取向,玻璃衬底上制备的p-Zn0.9Mg0.1O薄膜的电阻率为8.28Ω.cm,空穴浓度和迁移率分别为1.09×1019cm-3和0.069 cm2/V.s。并且掺Mg的ZnO薄膜透射光谱表现出明显的蓝移。p-Zn0.9Mg0.1O/n-Si异质结的I-V特性曲线表现出明显的整流特性,可以确定制备的Al、N共掺Zn0.9Mg0.1O薄膜的导电类型是p型的。

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室