混合介质层类同轴垂直硅通孔的高频性能研究

作者：丁英涛; 王一丁; 肖磊; 王启宁; 陈志伟

来源：北京理工大学学报, 2021, 41(10): 1103-1108.

DOI：10.15918/j.tbit1001-0645.2018.279

• T/R组件
• 硅通孔
• 类同轴
• 混合介质层

为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via, TSV)结构,对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究,并与传统同轴TSV的回波损耗、插入损耗、串扰等性能进行对比.结果表明优化后的混合介质层类同轴TSV结构在1～45 GHz频率范围内,具有良好的射频传输性能.

• 单位
  北京理工大学