砷化硼共振隧穿二极管及其制作方法

作者:薛军帅; 吴冠霖; 李泽辉; 袁金渊; 孙文博; 张进成; 郝跃
来源:2023-03-09, 中国, CN202310226845.1.

摘要

本发明公开了一种砷化硼共振隧穿二极管,主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管能带结构不对称、无双向对称微分负阻特性、峰值电流及峰谷电流比低的问题。该器件包括衬底、外延层、发射极欧姆接触层、第一隔离层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、第二隔离层、集电极欧姆接触层和集电极;发射极欧姆接触层上设置环形发射极。其中,第一和第二势垒层采用厚度相同的砷化硼材料,发射极与集电极欧姆接触区采用组分与厚度均相同的n型硼镓铟砷材料,第一和第二隔离层及量子阱层采用组分相同的硼镓铟砷材料,衬底采用高热导率砷化硼单晶。本发明器件无自发极化效应并有双向对称微分负阻效应,峰值电流与峰谷电流比高,可用于太赫兹波源和数字逻辑电路。