基于遗传算法的SiC MOSFET导通电阻模型

作者：曹瀚; 余玮宸; 柴晓光; 宁圃奇^*; 温旭辉

来源：电源学报, 2020, 18(04): 38-44.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.38

• SiC MOSFET
• 导通电阻
• 遗传算法(GA)

提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述。相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电阻与结温之间的关系。并探究了不同种群规模、交叉率和变异率对算法的影响。为了验证模型的准确性,采用一款自主封装的1 200 V/90 A SiC MOSFET模块去验证模型的静态特性,并与传统导通电阻建模方案进行对比,其最大误差为4.1%。

• 单位
  中国科学院电工研究所; 中国科学院大学