基于双台阶斜面的肖特基二极管及其制作方法

作者：冯倩; 胡志国; 于明扬; 马红叶; 徐周蕊; 张进成; 张春福; 张雅超; 田旭升; 张涛; 赵春勇

来源：2020-09-15, 中国, CN202010964526.7.

本发明公开了一种基于双台阶斜面的肖特基二极管,主要解决现有肖特基二极管器件击穿电压低的问题。其包括：欧姆接触金属Au层、欧姆接触金属Ti层、高掺杂n型Ga_2O_3衬底和低掺杂n型Ga_2O_3薄膜,该低掺杂n型Ga_2O_3薄膜的两侧分别刻有两级台阶斜面,每一级台阶斜面的倾斜角度和高度比例均为1:1,第二台阶斜面的宽度与第一台阶斜面宽度比例为5:3,且两级台阶斜面均注有氟离子；第二台阶斜面自下而上依次设有肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层。本发明能使肖特基电极边缘电场强度能均匀分布在多个三维结构上,且可部分耗尽阳极周围下方低掺杂Ga_2O_3外延层的电子,有效提高了击穿电压,可用作功率器件和高压开关器件。

• 单位
  西安电子科技大学