InAs/InP量子点激光器制备工艺研究

作者：李世国; 龚谦; 王瑞春; 王新中; 陈朋; 曹春芳; 岳丽; 刘庆博

来源：光电子-激光, 2012, (01): 94-97.

DOI：10.16136/j.joel.2012.01.002

• 激光器
• 量子点
• 腐蚀溶液
• 腐蚀方向 laser
• quantum dot
• chemical etching solution
• etching orientation

报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊条宽为6μm的量子点激光器。此激光器能够在室温连续波模式下工作,激射波长在光纤通信重要窗口1.55μm,单面最大输出功率超过12mW。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 深圳信息职业技术学院; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所