一种55 nm CMOS 5 GHz高效E类射频功率放大器

作者：王晓蕾; 叶坤; 王月恒; 倪伟

来源：微电子学, 2019, 49(05): 623-627.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180500

• E类功率放大器
• CMOS
• 两级级联结构
• 功率附加效率

为了减小功率放大器的功率损耗、提高功率附加效率,基于TSMC 55 nm CMOS工艺,设计了一种工作频率为5 GHz的高效率E类射频功率放大器。采用包含驱动级的两级电路结构,提高了电路的功率增益。对负载回路进行优化设计,改善了漏极电压与电流波形交叠的问题,进而提升了效率,同时降低了漏极电压的峰值,缓解了晶体管的击穿压力。仿真结果表明,电源电压为2.5 V时,该放大器的输出功率为21.2 dBm,功率附加效率为53.1%。

• 单位
  合肥工业大学