采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件

作者：陈晓娟; 刘新宇; 和致经; 刘键; 邵刚; 魏珂; **馨; 王晓亮; 周钧铭; 陈宏

来源：电子器件, 2005, (03): 479-481.

• AlGaN
• GaN
• SiO2
• MOS-HFET AlGaN
• GaN
• SiO_2
• MOS-HFET

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaNHEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS-HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaNMOS-HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。

• 单位
  中国科学院微电子研究所; 中国科学院半导体所; 中国科学院物理研究所