基于VLD技术的MCT器件仿真分析

作者：阮建新; 陈万军; 孙瑞泽; 彭朝飞; 张波

来源：电子与封装, 2014, 14(08): 28-31.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2014.08.007

• MCT
• VLD
• 击穿电压
• 电流能力

针对在脉冲功率领域有一定应用的栅控晶闸管(MCT)器件,提出了一种基于VLD(横向变掺杂)技术的MCT(VMCT)器件新工艺并通过仿真比较出新工艺的优势。VLD技术是指通过调整掩模版窗口的大小调节杂质掺杂浓度,进而优化MCT中NPN晶体管的电流放大系数a,通过仿真确定了新工艺的杂质注入剂量。仿真结果表明采用新工艺的VMCT器件比采用常规工艺MCT(CMCT)电流能力更强,是CMCT的2倍;和CMCT相比,VMCT器件的耐压和关断电压都保持不变,但是VMCT在工艺流程中比MCT节省一张掩模版。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学; 东莞电子科技大学电子信息工程研究院