一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法

作者：冯倩; 李佳乐; 王垚; 田旭升; 李文吉; 张雅超; 张进成

来源：2023-06-30, 中国, CN202310794544.9.

本发明公开了一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法,主要解决现有重掺杂外延薄膜衬底使用成本高、缺陷密度高及载流子浓度低的问题。其实现方案为：选取蓝宝石衬底并进行清洗；将清洗好的衬底放入MOCVD的反应腔内进行预处理；通过改变反应室的温度、压强和反应源的比值,以在衬底上依次生长两层不同机理的缓冲层；再以GeH4为掺杂剂和催化剂,利用脉冲MOCVD法在第二缓冲层上外延浓度为10～(19)cm～(-3)-10～(20)cm～(-3)的Ge重掺杂β-Ga-2O-3薄膜,并对其进行退火处理,完成外延薄膜的制备。本发明降低了外延薄膜的缺陷密度和衬底使用成本,提高了载流子浓度,可用于功率器件和开关器件的制备。

• 单位
  西安电子科技大学