采用CH4/Ar/H2气源系统,以Si(111)为基片在微波等离子CVD系统中通过工艺的优化在350℃沉积了金刚石膜。研究了不同的基片预处理工艺、微波功率对金刚石结构的影响,用XRD、SEM等测试方法进行了表征,XRD测试结果表明金刚石膜中仍存在缺陷和杂质,SEM测试结果表明金刚石膜由200 nm的球状颗粒组成,存在二次成核现象。