微型半导体桥临界爆发及发火电流特性研究

作者：杨贵丽; 焦清介; 沈瑞琪

来源：南京理工大学学报, 2012, (03): 476-481.

DOI：10.14177/j.cnki.32-1397n.2012.03.030

• 微型半导体桥
• 恒流激励
• 临界爆发电流
• 临界发火电流 micro-scale semiconductor bridge
• constant-current incentive
• critical exploding currents
• critical firing currents

为获得恒流激励下微型半导体桥的临界爆发和发火电流特性,研究了微型半导体桥换能元和换能元与斯蒂芬酸铅组成的发火件。利用高速示波器测试其在不同激励电流时的电压和电流信号。利用D-最优化法测试其临界爆发电流和临界发火电流。实验现象显示微型半导体桥的固态是其稳定态,熔点可作为临界爆发点,并且发火件临界发火属于电热发火。基于傅里叶传热原理,建立了微型半导体桥的稳态导热模型,推导出临界爆发电流和临界发火电流理论计算公式。临界爆发电流与微型半导体桥电阻的平方根成反比,与面积的1/4次方近似成正比。降低电阻或者增大面积可提高发火件的临界发火电流。实验数据验证了计算公式的可行性与合理性。

• 单位
  爆炸科学与技术国家重点实验室; 北京理工大学; 南京理工大学