利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

周炳卿; 刘丰珍; 朱美芳; 谷锦华; 周玉琴; 刘金龙; 董宝中; 李国华; 丁琨

摘要

采用x射线小角散射 (SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积 (rf PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积 (PE HWCVD)技术制备的微晶硅 (μc Si:H)薄膜的微结构 .实验发现 ,在相同晶态比的情况下 ,PECVD沉积的 μc Si:H薄膜微空洞体积比小 ,结构较致密 ,HWCVD沉积的 μ Si:H薄膜微空洞体积比大 ,结构较为疏松 ,PE HWCVD沉积的 μc Si:H薄膜 ,由于等离子体的敲打作用 ,与HWCVD样品相比 ,微结构得到明显改善 .采用HWCVD二步法和PE HWCVD加适量Ar离子分别沉积 μc Si:H薄膜 ...

单位
内蒙古师范大学; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院研究生院; 中国科学院高能物理研究所

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更新时间：2020-04-17 19:43

利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

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