基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术

作者：宋海兰; 黄辉; 王文娟; 黄永清; 任晓敏

来源：光电子-激光, 2010, (10): 1511-1514.

DOI：10.16136/j.joel.2010.10.020

• 低温键合
• GaAs/InP
• 二次离子质谱(SIMS) low temperature bonding
• secondary ion mass spectrometry(SIMS)

提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。

• 单位
  信息光子学与光通信国家重点实验室