多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制

作者：唐继英; 刘玉岭; 王辰伟; 洪姣

来源：微纳电子技术, 2017, 54(08): 553-564.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2017.08.008

• 化学机械抛光(CMP)后清洗
• 苯并三氮唑(BTA)去除
• 铜腐蚀
• 螯合剂
• 表面活性剂

有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除BTA起主要作用,FA/O表面活性剂不仅能抑制腐蚀而且促进了BTA的去除。通过接触角测量、扫描电镜(SEM)、金相显微镜、静态腐蚀速率(SER)等实验及线上测试研究了该清洗剂的性能,结果表明清洗剂能有效去除BTA且在抑制铜表面腐蚀方面效果明显,有效解决了极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线CMP后清洗中的多项技术难题。

• 单位
  天津冶金职业技术学院; 河北工业大学; 电子信息工程学院