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摘要
硒化亚锗(GeSe)禁带宽度合适(≈1.14eV),吸光系数大(>105cm-1),迁移率高(128.7cm2·V-1·s-1),价带顶中包含反键轨道赋予了其本征缺陷良性,理论光电转换效率可达30%以上,适合于制作高效薄膜太阳能电池;同时Ge Se具有毒性低、储量丰富、组分简单及稳定性强等优点,还易于通过低成本的升华法进行薄膜制备,从而在大规模应用方面具有巨大潜力.以Ge Se为研究对象,介绍了Ge Se基本性质,总结了GeSe薄膜制备研究进展,阐述了GeSe薄膜太阳能电池研究现状,并展望了其今后发展方向与趋势.
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