在本文中，我们通过热分解的方法在SiC单晶衬底上获得外延的双层石墨烯，并系统研究了电输运性质。我们在小磁场范围内观测到弱局域化效应，并在较大的磁场区间发现了不饱和线性磁阻。通过角度依赖的磁阻测量，我们发现该线性磁阻现象符合二维体系的磁输运特征。我们还在平行场下观测到了负磁阻效应，可能是由于双层石墨烯的转角莫尔条纹导致的局部晶格起伏导致的。
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