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摘要
阐述埋层硅外延片作为当今双极型晶体管的关键战略材料，应用价值显著。但是相比常规无图案的抛光片外延，埋层硅外延制备工艺受制于外延均匀性、表面质量等参数制约，难度显著增加。基于<111>晶向的埋层硅外延将与<110>定位面垂直的方向发生图形漂移，而且反应副产物HCl会腐蚀硅片表面，图形台阶处因为取向不同，使各方向腐蚀速率不同产生图形畸变，导致光刻工艺下的对位标记无法进行。本文解释了外延生长过程中图形漂移和畸变原理，验证了生长温度、反应速率对图形漂移和畸变的影响，通过优化外延工艺参数，严格控制生产工艺，可以满足埋设层外延工艺的特殊要求，最终成功在常压状态下控制了图形漂移和畸变。
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单位中国电子科技集团公司第四十六研究所
