一种JFET区域具有N型重掺杂的1200 V碳化硅浅槽平面MOSFET器件的设计与优化

作者：张丙可; 李旭晗; 王锐; 董佳俊; 常树丞; 孙俊敏; 白雪; 李哲洋; 金锐

来源：微电子学, 2023, 53(04): 741-746.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.230216

• 4H-SiC MOSFET
• Miller电容
• 分裂栅MOSFET

介绍了一种在JFET区域采用浅槽N型重掺杂降低器件比导通电阻与开启损耗的1 200 V碳化硅平面栅MOSFET器件。采用浅槽结构设计，减小了器件栅源电容CGS及栅漏电容与栅源电容比值CGD/CGS,降低了器件的开启损耗。浅槽下方采用的N型重掺杂使得器件反型层沟道压降明显提高，使器件获得了更低的比导通电阻。仿真结果表明，相比于平面栅MOSFET器件，开启损耗降低了20%;相比于平面栅MOSFET与分裂栅MOSFET,器件比导通电阻分别减小了14%和17%。