高功率密度IGBT模块的研发与特性分析

作者：刘国友; 覃荣震; 黄建伟; Ian Deviny; 罗海辉; Rupert Stevens; 吴义伯

来源：机车电传动, 2014, (02): 6-11.

DOI：10.13890/j.issn.1000-128x.2014.02.030

• 绝缘栅双极晶体管
• 芯片
• 模块
• 高功率密度
• 功耗
• 散热
• 特性分析
• 轨道交通

基于现有标准DMOS设计技术,通过优化高压IGBT&FRD芯片及其模块结构,降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻,改善模块散热,提高最高工作温度。研究开发了高功率密度1 500 A/3 300 V、1 200 A/4 500 V及750 A/6 500 V IGBT模块,满足轨道交通的应用要求。

• 单位
  株洲南车时代电气股份有限公司