高压与常压下合成Mg_(1.05-x)(HgO)_xB_2的性能研究

作者：崔雅静; 陈永亮; 杨烨; 潘敏; 王法社; 张勇; 洪时明; 赵勇

来源：稀有金属材料与工程, 2013, 37(S4): 38-41.

• MgB2
• 超导转变温度
• 临界电流密度
• HgO掺杂
• 高压合成

分别在常压和高压下利用固相反应法制备了Mg1.05-x(HgO)xB2多晶样品,并研究了HgO掺杂对MgB2样品性能的影响。在两种不同的反应条件下制备的样品,超导转变温度随掺杂量的增大都有一定幅度的下降,但晶体结构和临界电流密度(Jc)则有显著的不同。常压下HgO掺杂可使Jc降低,而高压下一定量的掺杂则使Jc增大。由扫描电镜结果分析可得,高压下制备的样品晶粒间联系紧密,尺寸较小,从而使其临界电流密度、不可逆场和钉扎力等性能都优于常压下制备的样品。

• 单位
  西南交通大学