Co掺杂非晶C薄膜的低温磁输运特性及磁性能研究

作者：唐瑞鹤; 刘伟; 张政军; 于荣海; 刘晓芳; 杨白; 水口将辉; 高梨弘毅

来源：稀有金属材料与工程, 2012, 41(11): 1887-1890.

DOI：10.3969/j.issn.1002-185X.2012.11.002

• Co掺杂非晶C薄膜
• 磁控共溅射
• 磁输运
• 磁性能

采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at％)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温.研究了Co-C颗粒薄膜的微结构,磁输运特性及磁性能.通过优化Co含量,在低温下发现了较大的负磁电阻(MR).温度为2K、磁场为90×79.6 kA.ml时,Co含量为6.4 at％的Co-C薄膜的负磁电阻值最大,达到27.6％.随着Co含量从6.4 at％增加至16.4 at％,MR 值从27.6％逐渐减小至2.2％.电阻率ρ随温度T的变化曲线显示了线性的lnρ-T1/2关系,说明样品中电子传导遵循隧穿输运机制.

• 单位
  清华大学; 东北大学; 北京航空航天大学