安森美半导体发布新的650 V碳化硅(SiC)MOSFET

来源：电子质量, 2021, (02): 61-62.

<正>推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),近日发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。