大功率变频器中电磁兼容问题是不可被忽视的。其中传导干扰会影响输出波形,降低电能质量。IGBT的寄生电容对于传导干扰有很大影响,本文对功率器件中IGBT的寄生电容形成原理和计算方法进行了分析。在此基础上运用有限元仿真软件ANSYSQ3D建立了基于英飞凌FZ1200R17HE4较为精确的模型。最后通过实验测量与仿真结果进行对照,仿真结果很好的对应了实验结果,本文所提方法能更准确的建立IGBT相关杂散参数的模型。
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