半导体激光对根管壁牙本质影响的实验研究

作者：刘雁

来源：中国激光医学杂志, 2021, 30(01): 17-18.

目的:波长980 nm半导体激光使用不同的功率和不同的时间处理牙本质根管壁,观察其在扫描电镜下的结构。方法:选取单根管前牙,根管预备后纵剖开制成牙本质样本,随机分成四组:A组对照;实验组组内随机分为两亚组,即B1组1 W激光照射10 s;B2组1 W激光照射20 s;C1组2 W激光照射10 s;C2组2 W激光照射20 s;D1组3 W激光照射10 s;D2组3 W激光照射20 s。各样本经激光照射后,在扫描电镜下观察根管壁的超微结构。结果:随着时间的延长和功率的增加,根管壁的玷污层逐渐消失,牙本质小管从开放到逐渐熔融,根管壁趋于光滑。结论:980 nm的半导体激光选择3 W功率间断照射20s,能有效地去除玷污层,改变根管壁的界面。

• 单位
  大连市口腔医院