钴离子注入对二氧化钛晶体的结构和光学性能的影响

作者：李天晶; 李公平; 马俊平; 高行新

来源：Acta Physica Sinica, 2011, (11): 492-496.

• 钴
• 二氧化钛
• 离子注入
• 掺杂 Co
• TiO2
• ion implantation
• doped

采用离子注入法制备了钴离子掺杂的金红石相TiO2样品;离子注入能量、注量分别为40keV(1×1016cm-2),80keV(5×1015,1×1016,5×1016,1×1017cm-2),120keV(1×1016cm-2).通过XRD,XPS和UV-Vis等手段对掺杂前后样品的结构和光学性能进行了表征,分析了掺杂元素在金红石TiO2中的存在形式.XRD测试表明随着注入能量的增加晶体的损伤程度增加.UV-Vis测试表明掺杂后所有样品在可见光区的吸收增强;并且随着注量的增加,注量为5×1015cm-2到5×1016cm-2范围内注入样品的光学带隙逐渐变小.

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 兰州大学; 山东大学