纳米In2S3制备研究进展

作者:叶明富; 王苗苗; 牛文杰; 陈丙才; 陈国昌; 孔祥荣
来源:化工新型材料, 2019, 47(09): 45-49.

摘要

硫化铟(In2S3)是一种重要的半导体材料,具有良好的导电性能、光学性能、声学性能及电子性能等,在纳米材料、微电子和太阳能领域有广阔的发展前景。In2S3纳米材料的制备方法主要有水热合成法、溶剂热合成法、喷雾热解法和超声法等,未来应注重开发低成本、高性能、环保绿色的合成方法。