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摘要
In组分渐变InGaN/GaN量子阱结构可以有效解决因晶格失配所带来的LED发光效率降低的问题。本文采用Silvaco软件建立了In组分渐变量子阱结构数值计算模型，研究了量子阱中渐变层In组分及渐变层厚度对极化电荷密度、载流子浓度及LED功率谱密度的影响。研究结果表明：随着渐变层中In组分的增大，载流子浓度以及极化电荷密度都在增大，但极化电荷密度增幅较小，峰值功率谱密度随着In组分的增大增长幅度逐渐减小；功率谱密度随着渐变层顶层厚度的增加先增大后减小，渐变层非顶层厚度不均匀时的功率谱密度比均匀时的功率谱密度小。
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