设计了一种能减小导通电阻并提高击穿电压的功率MOSFET。分析了击穿电压与外延浓度、耗尽层宽度、电阻率之间的关系。采用计算机仿真软件TCAD,对500 V、4 A下的N沟道MOSFET进行仿真验证。结果表明,相比传统VDMOS,双槽栅新型MOSFET的导通电阻减小了15.9%,反向击穿电压提升了2.8%。在工艺流程上减少了JFET退火工艺,仅增加了一层掩膜。