一种新型的双槽栅结构高压MOSFET

作者：赵磊; 冯全源

来源：微电子学, 2019, 49(02): 262-269.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180248

• 双槽栅结构
• VDMOS
• 反向击穿电压
• 导通电阻

设计了一种能减小导通电阻并提高击穿电压的功率MOSFET。分析了击穿电压与外延浓度、耗尽层宽度、电阻率之间的关系。采用计算机仿真软件TCAD,对500 V、4 A下的N沟道MOSFET进行仿真验证。结果表明,相比传统VDMOS,双槽栅新型MOSFET的导通电阻减小了15.9%,反向击穿电压提升了2.8%。在工艺流程上减少了JFET退火工艺,仅增加了一层掩膜。

• 单位
  西南交通大学